FDFME2P823ZT onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDFME2P823ZT è obsoleto e non è più in produzione.

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Diodes Incorporated

In magazzino: 8’351

Prezzo unitario : Fr. 0.73000

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FDFME2P823ZT
Codice DigiKey	FDFME2P823ZTTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDFME2P823ZT
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,6 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-MicroFET (1,6x1,6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDFME2P823ZT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	142mohm a 2,3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	405 pF @ 10 V
Funzione FET	Diodo Schottky (isolato)
Dissipazione di potenza (max)	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-MicroFET (1,6x1,6)
Contenitore/involucro	6-UFDFN piazzola esposta
Codice componente base	FDFME2