NC7SZ332P6X
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NC7SZ332P6X

FDG332PZ

Codice DigiKey
FDG332PZTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDG332PZ
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 2,6 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SC-88 (SC-70-6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
95mohm a 2,6A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
560 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
750mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SC-88 (SC-70-6)
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base
FDG332
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