FDMA410NZT onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMA410NZT
Codice DigiKey	FDMA410NZTOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMA410NZTOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMA410NZTOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMA410NZT
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 9,5 A (Ta) 2,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFN (2,05x2,05)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMA410NZT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1310 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore 6-UDFN (2,05x2,05)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 23mohm a 9,5A, 4,5V	Codice componente base FDMA410

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In magazzino: 24’697

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.20612	Fr. 618.36
6’000	Fr. 0.19030	Fr. 1’141.80

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.89723

FDMA410NZT