Name: FDMA507PZ
Brand: onsemi
SKU: FDMA507PZTR-ND
Price: 0.85399 CHF
Availability: InStock

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FDMA507PZ
Codice DigiKey	FDMA507PZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMA507PZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMA507PZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMA507PZ
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 7,8 A (Ta) 2,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-MicroFET (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMA507PZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	24mohm a 7,8A, 5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2015 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-MicroFET (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	FDMA507

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Nastrato in bobina (TR)