Name: FDMC510P
Brand: onsemi
SKU: FDMC510PTR-ND
Price: 2.61602 CHF
Availability: InStock

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FDMC510P
Codice DigiKey	FDMC510PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC510PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC510PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC510P
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 12 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale 8-MLP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMC510P Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 116 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7860 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 8-MLP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Ta), 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerWDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base FDMC510
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 12A, 4,5V