FDMC7660DC onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMC7660DC
Codice DigiKey	FDMC7660DCTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC7660DCCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC7660DCDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC7660DC
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 30 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale Dual Cool™ 33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMC7660DC Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 76 nC @ 10 V
Serie Dual Cool™, PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5170 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore Dual Cool™ 33
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Ta), 40 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMC7660
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 22A, 10V

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Sostituti (7)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RS1E280BNTB	Rohm Semiconductor	24’651	RS1E280BNTBCT-ND	Fr. 1.11000	Diretto
RS1E280GNTB	Rohm Semiconductor	234	846-RS1E280GNCT-ND	Fr. 0.85000	Diretto
BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	0	BSZ019N03LSATMA1CT-ND	Fr. 1.64000	Simile
CSD17303Q5	Texas Instruments	3’951	296-27232-1-ND	Fr. 2.06000	Simile
CSD17575Q3	Texas Instruments	0	296-39994-1-ND	Fr. 1.25000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 1.23000	Fr. 12.30

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.91000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.06471

FDMC7660DC