Name: FDMC86102
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102TR-ND
Price: 2.77817 CHF
Availability: InStock

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FDMC86102
Codice DigiKey	FDMC86102TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMC86102CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMC86102DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMC86102
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 7 A (Ta), 20 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale Power33
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMC86102 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 965 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore Power33
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A (Ta), 20 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMC86
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC265N10LSFGATMA1	Infineon Technologies	14’997	BSC265N10LSFGATMA1CT-ND	Fr. 1.23000	Simile

In magazzino: 1’400

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.74190	Fr. 2’225.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.77817

FDMC86102