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FDMD8280 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FDMD8280 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDMD8280TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDMD8280 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 11A 1W A montaggio superficiale 12-Power3,3x5 |
Modelli EDA/CAD | FDMD8280 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 80V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 11A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,2mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 44nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3050pF a 40V | |
Potenza - Max | 1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 12-PowerWDFN | |
Contenitore del fornitore | 12-Power3,3x5 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera