Name: FDME820NZT
Brand: onsemi
SKU: FDME820NZTTR-ND
Price: 1.17829 CHF
Availability: InStock

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FDME820NZT
Codice DigiKey	FDME820NZTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDME820NZTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDME820NZTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDME820NZT
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 9 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale MicroFet spessore 1,6x1,6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 865 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore MicroFet spessore 1,6x1,6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-PowerUFDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base FDME820
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 9A, 4,5V

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In magazzino: 1’440

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.24800	Fr. 1’240.00
10’000	Fr. 0.23105	Fr. 2’310.50

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.09000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.17829

FDME820NZT