Canale P 20 V 3,2 A (Ta) A montaggio superficiale 6-MicroFET (2x2)
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FDMJ1027P

Codice DigiKey
FDMJ1027P-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDMJ1027P
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6MICROFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 3,2 A (Ta) A montaggio superficiale 6-MicroFET (2x2)
Modelli EDA/CAD
FDMJ1027P Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,2 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
-
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-MicroFET (2x2)
Contenitore/involucro
6-VDFN piazzola esposta
Codice componente base
FDMJ10
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Obsoleto
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