Name: FDMS037N08B
Brand: onsemi
SKU: FDMS037N08BTR-ND
Price: 3.14571 CHF
Availability: InStock

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FDMS037N08B
Codice DigiKey	FDMS037N08BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS037N08BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS037N08BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS037N08B
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 100 A (Tc) 830mW (Ta), 104,2W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5915 pF @ 37.5 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 830mW (Ta), 104,2W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FDMS037
RDSon (max) a Id, Vgs 3,7mohm a 50A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC028N06LS3GATMA1	Infineon Technologies	11’049	BSC028N06LS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.63000	Simile

In magazzino: 2’917

Scorte di fabbrica: 12’000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.87774	Fr. 2’633.22

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.91000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.14571

FDMS037N08B