



FDMS039N08B | |
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Codice DigiKey | FDMS039N08BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS039N08BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS039N08BDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS039N08B |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 19,4 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,9mohm a 50 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7600 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (5x6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.53000 | Fr. 2.53 |
| 10 | Fr. 1.64400 | Fr. 16.44 |
| 100 | Fr. 1.13980 | Fr. 113.98 |
| 500 | Fr. 0.96390 | Fr. 481.95 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.78750 | Fr. 2’362.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.73493 |











