Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: 488-FDMS6673BZTR-ND
Price: 2.03228 CHF
Availability: InStock

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FDMS6673BZ
Codice DigiKey	488-FDMS6673BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FDMS6673BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS6673BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 15,2 A (Ta), 28 A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5915 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 73W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15,2 A (Ta), 28 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS6673
RDSon (max) a Id, Vgs 6,8mohm a 15,2A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.59216	Fr. 1’776.48

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.03228

FDMS6673BZ