FDMS86581-F085 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDMS86581-F085 è obsoleto e non è più in produzione.

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FDMS86581-F085
Codice DigiKey	FDMS86581-F085OSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86581-F085
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 30 A (Tc) 50W (Tj) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	15mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	881 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tj)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS86