FDMS8570SDC onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FDMS8570SDC
Codice DigiKey	FDMS8570SDCTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS8570SDC
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 28A/60A DLCOOL56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 28 A (Ta), 60 A (Tc) 3,3W (Ta), 59W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®, SyncFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28 A (Ta), 60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,8mohm a 28A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2825 pF @ 13 V
Funzione FET	Diodo Schottky (body)
Dissipazione di potenza (max)	3,3W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-PQFN (5x6)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	FDMS85