

FDMS86150ET100 | |
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Codice DigiKey | FDMS86150ET100TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86150ET100CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS86150ET100 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 16 A (Ta), 128 A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,85mohm a 16A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4065 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,3W (Ta), 187W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (5x6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 5.79000 | Fr. 5.79 |
10 | Fr. 3.83400 | Fr. 38.34 |
100 | Fr. 3.36620 | Fr. 336.62 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 2.75010 | Fr. 8’250.30 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.79000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.25899 |