Name: FDMS86150ET100
Brand: onsemi
SKU: FDMS86150ET100TR-ND
Price: 7.49133 CHF
Availability: InStock

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FDMS86150ET100
Codice DigiKey	FDMS86150ET100TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86150ET100CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86150ET100DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86150ET100
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Tempi di consegna standard del produttore	47 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 16 A (Ta), 128 A (Tc) 3,3W (Ta), 187W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 62 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4065 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 187W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 16 A (Ta), 128 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86150
RDSon (max) a Id, Vgs 4,85mohm a 16A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 2.81180	Fr. 8’435.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.49133

FDMS86150ET100