


FDMS86163P | |
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Codice DigiKey | FDMS86163PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86163PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMS86163P |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 7,9 A (Ta), 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDMS86163P Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 7,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4085 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (5x6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.75000 | Fr. 2.75 |
| 10 | Fr. 1.87300 | Fr. 18.73 |
| 100 | Fr. 1.20960 | Fr. 120.96 |
| 500 | Fr. 1.20380 | Fr. 601.90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.98350 | Fr. 2’950.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.75000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.97275 |










