FDN361AN onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDN361AN è obsoleto e non è più in produzione.

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FDN361AN
Codice DigiKey	FDN361AN-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN361AN
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,8 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 1,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	220 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDN361