Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 0.58374 CHF
Availability: InStock

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FDN5618P
Codice DigiKey	FDN5618PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN5618PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN5618P
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,25 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN5618P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,25 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	170mohm a 1,25A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	430 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	FDN5618

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Nastrato in bobina (TR)