Name: FDN5630
Brand: onsemi
SKU: FDN5630TR-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: InStock

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FDN5630
Codice DigiKey	FDN5630TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDN5630CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDN5630DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDN5630
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 1,7 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDN5630 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDN563
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 1,7A, 10V