FDP10N60NZ onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDP10N60NZ è obsoleto e non è più in produzione.

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FDP10N60NZ
Codice DigiKey	FDP10N60NZ-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDP10N60NZ
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10 A (Tc) 185W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDP10N60NZ Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	UniFET-II™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	750mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1475 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	185W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	FDP10