FDS4141 onsemi | FET, MOSFET singoli

Canale P 40 V 10,8 A (Ta) 5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC

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FDS4141
Codice DigiKey	FDS4141TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4141CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4141DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS4141
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 10,8 A (Ta) 5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 10,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2670 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS41

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