FDS6575 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDS6575 è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.86000

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FDS6575
Codice DigiKey	FDS6575TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6575CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6575DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS6575
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 10 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDS6575 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	13mohm a 10A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4951 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	FDS65