Name: FDS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6673BZTR-ND
Price: 1.48097 CHF
Availability: InStock

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FDS6673BZ
Codice DigiKey	FDS6673BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6673BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS6673BZ
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 14,5 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 124 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4700 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDS6673
RDSon (max) a Id, Vgs 7,8mohm a 14,5A, 10V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.34978	Fr. 874.45
5’000	Fr. 0.32494	Fr. 1’624.70

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.48097

FDS6673BZ