


FDS6675BZ | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDS6675BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6675BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6675BZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS6675BZ |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDS6675BZ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 13mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2470 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.05000 | Fr. 1.05 |
| 10 | Fr. 0.65800 | Fr. 6.58 |
| 100 | Fr. 0.43500 | Fr. 43.50 |
| 500 | Fr. 0.33930 | Fr. 169.65 |
| 1’000 | Fr. 0.30850 | Fr. 308.50 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.27514 | Fr. 687.85 |
| 5’000 | Fr. 0.25453 | Fr. 1’272.65 |
| 7’500 | Fr. 0.24403 | Fr. 1’830.22 |
| 12’500 | Fr. 0.23452 | Fr. 2’931.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.13505 |










