FDS86242
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FDS6986AS

Codice DigiKey
FDS6986ASTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDS6986ASCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
onsemi
Codice produttore
FDS6986AS
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 6,5 A, 7,9 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,5 A, 7,9 A
RDSon (max) a Id, Vgs
29mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
720pF a 10V
Potenza - Max
900mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
FDS69
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.21000Fr. 1.21
10Fr. 0.76500Fr. 7.65
100Fr. 0.50900Fr. 50.90
500Fr. 0.39928Fr. 199.64
1’000Fr. 0.36396Fr. 363.96
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.32572Fr. 814.30
5’000Fr. 0.30210Fr. 1’510.50
7’500Fr. 0.29007Fr. 2’175.53
12’500Fr. 0.28550Fr. 3’568.75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.30801