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FDS8842NZ | |
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Codice DigiKey | FDS8842NZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS8842NZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS8842NZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS8842NZ |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 14,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3845 pF @ 15 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 14,9A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| RS6G100BGTB1 | Rohm Semiconductor | 2’263 | 846-RS6G100BGTB1CT-ND | Fr. 2.06000 | Simile |
| RS6G120BGTB1 | Rohm Semiconductor | 2’081 | 846-RS6G120BGTB1CT-ND | Fr. 3.59000 | Simile |



