FDT461N onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDT461N è obsoleto e non è più in produzione.

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : Fr. 0.86000

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FDT461N
Codice DigiKey	FDT461N-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDT461N
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 540mA (Ta) 1,13W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDT461N Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	540mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 540mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	74 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,13W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	FDT46