Name: FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 488-FDT4N50NZUTR-ND
Price: 1.70798 CHF
Availability: InStock

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FDT4N50NZU
Codice DigiKey	488-FDT4N50NZUTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FDT4N50NZUCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FDT4N50NZUDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDT4N50NZU
Descrizione	POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 2 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 3ohm a 1A, 10V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 5,5V a 250µA
Serie UltraFRFET™, Unifet™ II	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9.1 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 476 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-223 (TO-261)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA