Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 1.38368 CHF
Availability: InStock

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FDT86113LZ
Codice DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDT86113LZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDT86113LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,3 A (Tc) 2,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDT86113LZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 315 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,2W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDT86113
RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 3,3A, 10V