FDW2511NZ onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDW2511NZ è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 0.22323

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FDW2511NZ
Codice DigiKey	FDW2511NZ-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDW2511NZ
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 7,1A 1,6W A montaggio superficiale 8-TSSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Drain comune a 2 canali N (duale)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7,1A
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 7,1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17,3nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000pF a 10V
Potenza - Max	1,6W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-TSSOP (larghezza 0,173", 4,40mm)
Contenitore del fornitore	8-TSSOP
Codice componente base	FDW25