Name: FDWS86369-F085
Brand: onsemi
SKU: FDWS86369-F085TR-ND
Price: 2.03228 CHF
Availability: InStock

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FDWS86369-F085
Codice DigiKey	FDWS86369-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDWS86369-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDWS86369-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDWS86369-F085
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 65 A (Tc) 107W (Tj) A montaggio superficiale Power56
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2470 pF @ 40 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 107W (Tj)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 65 A (Tc)	Contenitore del fornitore Power56
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 65A, 10V	Codice componente base FDWS86369
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC060N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	6’483	BSC060N10NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.16000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.49914	Fr. 1’497.42
6’000	Fr. 0.48298	Fr. 2’897.88

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.03228

FDWS86369-F085