FDZ201N onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FDZ201N
Codice DigiKey	FDZ201NTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDZ201N
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 9A 12BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 9 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale 12-BGA (2x2,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 9A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1127 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	12-BGA (2x2,5)
Contenitore/involucro	12-WFBGA
Codice componente base	FDZ20