FDZ204P onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FDZ204P
Codice DigiKey	FDZ204P-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDZ204P
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,5 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale 9-BGA (2x2,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDZ204P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	45mohm a 4,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	884 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	9-BGA (2x2,1)
Contenitore/involucro	9-WFBGA
Codice componente base	FDZ20