FFSH20120A-F155 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FFSH20120A-F155
Codice DigiKey	488-FFSH20120A-F155-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FFSH20120A-F155
Descrizione	DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1200 V 30A Foro passante TO-247-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	1200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	30A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.75 V @ 20 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	200 µA @ 1200 V
Capacità a Vr, F	1220pF a 1V, 100kHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-247-2
Contenitore del fornitore	TO-247-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C

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In magazzino: 579

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 10.89000	Fr. 10.89
30	Fr. 6.61533	Fr. 198.46
120	Fr. 5.67883	Fr. 681.46
510	Fr. 5.50610	Fr. 2’808.11

Contenitore standard del produttore

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