FQA6N90C-F109 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FQA6N90C-F109 è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

In magazzino: 437

Prezzo unitario : Fr. 14.55000

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FQA6N90C-F109
Codice DigiKey	FQA6N90C-F109-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQA6N90C-F109
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 6 A (Tc) 198W (Tc) Foro passante TO-3PN
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQA6N90C-F109 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3ohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1770 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	198W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3PN
Contenitore/involucro	TO-3P-3, SC-65-3
Codice componente base	FQA6