FQAF33N10L onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FQAF33N10L è obsoleto e non è più in produzione.

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In magazzino: 1’414

Prezzo unitario : Fr. 2.10000

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FQAF33N10L
Codice DigiKey	FQAF33N10L-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQAF33N10L
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 25,8 A (Tc) 83W (Tc) Foro passante TO-3PF
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQAF33N10L Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	25,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 12,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1630 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	83W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3PF
Contenitore/involucro	TO-3P-3 Full Pack
Codice componente base	FQAF3