FQAF34N25 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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FQAF34N25
Codice DigiKey	FQAF34N25-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQAF34N25
Descrizione	MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 250 V 21,7 A (Tc) 100W (Tc) Foro passante TO-3PF
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQAF34N25 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	250 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	85mohm a 10,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2750 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-3PF
Contenitore/involucro	TO-3P-3 Full Pack
Codice componente base	FQAF3