


FQB12P20TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQB12P20TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB12P20TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB12P20TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQB12P20TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 11 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 200 V 11,5 A (Tc) 3,13W (Ta), 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB12P20TM Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 470mohm a 5,75A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1200 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,13W (Ta), 120W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.22000 | Fr. 2.22 |
| 10 | Fr. 1.43400 | Fr. 14.34 |
| 100 | Fr. 0.98640 | Fr. 98.64 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 0.75218 | Fr. 601.74 |
| 1’600 | Fr. 0.69749 | Fr. 1’115.98 |
| 2’400 | Fr. 0.66964 | Fr. 1’607.14 |
| 4’000 | Fr. 0.65810 | Fr. 2’632.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.39982 |








