


FQB22P10TM | |
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Codice DigiKey | FQB22P10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB22P10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB22P10TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQB22P10TM |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 22 A (Tc) 3,75W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 125mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1500 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,75W (Ta), 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.17000 | Fr. 2.17 |
| 10 | Fr. 1.41400 | Fr. 14.14 |
| 100 | Fr. 0.97180 | Fr. 97.18 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 0.74045 | Fr. 592.36 |
| 1’600 | Fr. 0.70148 | Fr. 1’122.37 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.17000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.34577 |




