FQB33N10LTM onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQB33N10LTM
Codice DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB33N10LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB33N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB33N10LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1630 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 127W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQB33N10
RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm a 16,5A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FCB070N65S3	onsemi	2’150	FCB070N65S3CT-ND	Fr. 6.52000	Consigliato dal produttore
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4’804	1727-4763-1-ND	Fr. 1.73000	Simile
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	658	1727-4766-1-ND	Fr. 2.18000	Simile
STB40NF10LT4	STMicroelectronics	857	497-3736-1-ND	Fr. 2.75000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.07552

FQB33N10LTM