Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: InStock

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FQB55N10TM
Codice DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQB55N10TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQB55N10TM
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 55 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQB55N10TM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 98 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2730 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 55 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQB55N10
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 27,5A, 10V

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In magazzino: 879

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 0.84789	Fr. 678.31
1’600	Fr. 0.78820	Fr. 1’261.12

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.63000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.84303

FQB55N10TM