Name: FQD12N20LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD12N20LTMTR-ND
Price: 1.23234 CHF
Availability: InStock

FQD12N20LTM
Codice DigiKey	FQD12N20LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD12N20LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD12N20LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD12N20LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 9 A (Tc) 2,5W (Ta), 55W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	280mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1080 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FQD12N20

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.28036	Fr. 700.90
5’000	Fr. 0.25948	Fr. 1’297.40

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.23234

FQD12N20LTM