Name: FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTMTR-ND
Price: 1.00533 CHF
Availability: InStock

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FQD13N06LTM
Codice DigiKey	FQD13N06LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD13N06LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD13N06LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD13N06LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 11 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQD13N06LTM Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.4 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQD13N06
RDSon (max) a Id, Vgs 115mohm a 5,5A, 10V