Name: FQD13N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N10LTMTR-ND
Price: 0.77832 CHF
Availability: InStock

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FQD13N10LTM
Codice DigiKey	FQD13N10LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD13N10LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD13N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQD13N10LTM
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	520 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FQD13N10

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Nastrato in bobina (TR)