


FQD19N10LTM | |
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Codice DigiKey | FQD19N10LTMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQD19N10LTM |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 9 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 15,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 100mohm a 7,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 870 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 50W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 155°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.12000 | Fr. 1.12 |
| 10 | Fr. 0.74400 | Fr. 7.44 |
| 100 | Fr. 0.53620 | Fr. 53.62 |
| 500 | Fr. 0.42146 | Fr. 210.73 |
| 1’000 | Fr. 0.38454 | Fr. 384.54 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.34458 | Fr. 861.45 |
| 5’000 | Fr. 0.34182 | Fr. 1’709.10 |
| 7’500 | Fr. 0.30510 | Fr. 2’288.25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.12000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.21072 |

