


FQD1N80TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD1N80TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD1N80TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQD1N80TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 195 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 45W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 800 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 20ohm a 500mA, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD2N90TM | onsemi | 7’041 | FQD2N90TMCT-ND | Fr. 1.73000 | Consigliato dal produttore |
| STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics | 2’964 | 497-4751-1-ND | Fr. 1.38000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.31000 | Fr. 1.31 |
| 10 | Fr. 0.82700 | Fr. 8.27 |
| 100 | Fr. 0.55130 | Fr. 55.13 |
| 500 | Fr. 0.43312 | Fr. 216.56 |
| 1’000 | Fr. 0.39509 | Fr. 395.09 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.33078 | Fr. 826.95 |
| 5’000 | Fr. 0.30700 | Fr. 1’535.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.31000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.41611 |





