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FQD20N06TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD20N06TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQD20N06TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD20N06TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 16,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 590 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 38W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 8,4A, 10V |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD30N06TM | onsemi | 184 | FQD30N06TMCT-ND | Fr. 1.41000 | Consigliato dal produttore |
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| DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN6068LK3-13DICT-ND | Fr. 0.77000 | Simile |
| DMNH6042SK3-13 | Diodes Incorporated | 1’645 | 31-DMNH6042SK3-13CT-ND | Fr. 0.93000 | Simile |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
