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Canale N 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

FQD2N100TM

Codice DigiKey
FQD2N100TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FQD2N100TMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FQD2N100TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
FQD2N100TM
Descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1000 V 1,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
520 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
1000 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
9ohm a 800mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOD2N100Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOD2N100-NDFr. 0.50506Simile
IXTY1R4N100PIXYS0IXTY1R4N100P-NDFr. 1.54071Simile
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