NDC632P onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NDC632P è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.56000

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NDC632P
Codice DigiKey	NDC632PTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NDC632P
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 2,7 A (Ta) 1,6W (Ta) A montaggio superficiale SuperSOT™-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NDC632P Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,7 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,7V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	140mohm a 2,7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	550 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,6W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SuperSOT™-6
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base	NDC632